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肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?(下)

文章出处:鼎芯科技文章编辑:贺美华人气:-发表时间:2016-02-05 09:00:00【
摘要 : 导读:我们在上节中已经从结构原理上分析了肖特基二极管与快恢复二极管的区别,本节我们将从这两者的应用领域来探讨它的区别。



肖特基二极管的主要应用领域

肖特基二极管的反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管.jpg

快恢复二极管的主要应用领域

快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

MUR.jpg


好了,结合上节我们所讲的把内容,相信大家对肖特基二极管和快恢复二极管这两者的区别也有了解。如还有不懂的,欢迎致电我们的24小时客户服务专线:400-9929-667!


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